ČESKÁ TECHNICKÁ NORMA
ICS 31.080.99 Říjen 2022
|
Návody na zkušební metody dynamického odporu v sepnutém stavu pro součástky výkonových měničů založených na GaN HEMT |
ČSN 35 8766 |
idt IEC 63373:2022
Dynamic on-resistance test method guidelines for GaN HEMT based power conversion devices
Lignes directrices pour les méthodes d’essai
de résistance dynamique à l’état passant des dispositifs de
conversion
de puissance fondés sur les HEMT en GaN
Richtlinien für Prüfverfahren des dynamischen Einschaltwiderstandes bei GaN-HEMT-Leistungswandlern
Tato norma přejímá anglickou verzi evropské normy EN IEC 63373:2022. Má stejný status jako oficiální verze.
This standard implements the English version of the European Standard EN IEC 63373:2022. It has the same status as the official version.
Anotace obsahu
Obecně je zkoušení dynamického elektrického odporu v sepnutém stavu měřítkem jevů zachycování náboje ve výkonových tranzistorech GaN. Tato norma poskytuje návod pro zkoušení dynamického odporu v sepnutém stavu laterálních výkonových tranzistorů GaN. Zkušební metody lze použít pro následující případy:
a) diskrétní výkonové součástky GaN v obohaceném a ochuzeném režimu [3];
b) GaN v integrovaných výkonových řešeních;
c) výše uvedené na úrovni desky nebo pouzdra.
Předepsané zkušební
metody lze použít pro stanovení charakteristik součástek, výrobní zkoušky,
hodnocení spoleh-
livosti a posouzení aplikací GaN součástek pro výkonové měniče.
Tato norma se nezabývá příslušnými mechanismy dynamického elektrického odporu v sepnutém
stavu a jeho symbolické reprezentace pro specifikace
výrobků.