|
ICS 31.080.30; 31.200 |
ČSN EN 62417 35 8769 Prosinec 2010 |
|
ČESKÁ TECHNICKÁ NORMA |
|
Polovodičové součástky – Zkoušky pohyblivých iontů pro tranzistory řízené polem (MOSFET) |
|
Konec náhledu - text dále pokračuje v placené verzi ČSN v anglickém jazyce. |
Zdroj: www.cni.cz