ČESKÁ TECHNICKÁ NORMA
ICS 31.080.01 Červenec 2011
Polovodičové součástky – |
ČSN 35 8768 |
idt IEC 62374-1:2010
Semiconductor devices –
Part 1: Time-dependent dielectric breakdown (TDDB) test for inter-metal layers
Dispositifs à semiconducteurs –
Partie 1: Essai de rupture diélectrique en fonction du temps (TDDB) pour les couches intermétalliques
Halbleiterbauelemente –
Teil 1: Prüfung auf zeitabhängigen dielektrischen Durchbruch (TDDB) bei Isolationsschichten zwischen metallischen Leiterbahnen
Tato norma přejímá anglickou verzi evropské normy EN 62374-1:2010 včetně opravy EN 62374-1:2010/Cor.:2011-04. Má stejný status jako oficiální verze.
This standard implements the English version of the European Standard EN 62374-1:2010 including its corrigendum EN 62374-1:2010/Cor.:2011-04. It has the same status as the official version.
Anotace obsahu
Tato norma popisuje zkušební metodu, zkušební strukturu a metodu pro odhad životnosti pro zkoušku časově závislého dielektrického průrazu (TDDB) pro intermetalické vrstvy vytvořené pro polovodičové součástky.
Národní předmluva
Vypracování normy
Zpracovatel: VUT FEKT Brno, IČ 00216305, Ing. Josef Šandera, Ph.D.
Technická normalizační komise: TNK 102 Součástky a materiály pro elektroniku a elektrotechniku
Pracovník Úřadu pro technickou normalizaci, metrologii a státní zkušebnictví: Ing. Jan Křivka
Konec náhledu - text dále pokračuje v placené verzi ČSN v anglickém jazyce.
Zdroj: www.cni.cz